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[新聞資訊]瑞薩推出650V雙向GaN開關重塑功率轉換設計新規范2026年05月14日 10:55: 瑞薩推出650V雙向GaN開關重塑功率轉換設計新規范
在全球功率半導體技術向高效化,小型化,低功耗迭代的關鍵節點,全球知名半導體解決方案提供商瑞薩電子(Renesas)正式推出首款650V雙向氮化鎵(GaN)開關,這一突破性產品的問世,不僅填補了瑞薩在雙向GaN功率器件領域的空白,更以顛覆性的技術設計,打破傳統功率轉換的固有局限,標志著功率轉換設計規范迎來歷史性重大變革,為新能源,工業控制,儲能等多領域高端設備升級注入強勁動力.; 閱讀（43）標簽：Renesas振蕩器|瑞薩電子晶振

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