康比電子該篇文章接下來的討論適用于寬溫度范圍的頻率標(biāo)準(zhǔn)(即,那些設(shè)計為在跨越至少90%的溫度范圍內(nèi)工作的標(biāo)準(zhǔn)).在更窄的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的實驗室設(shè)備比下面的對比設(shè)備具有更好的穩(wěn)定性.商用頻率源涵蓋幾個數(shù)量級的精度范圍——從簡單的X0到石英晶體振蕩器頻率標(biāo)準(zhǔn).隨著精度的提高,功率需求,尺寸和成本也在增加.例如,圖33顯示了精度和功率要求之間的關(guān)系.精確度和成本是相似的
SITIME晶振微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對移動和其他電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.硅MEMS技術(shù)實現(xiàn)了超小尺寸和芯片級封裝.這些器件可實現(xiàn)更大的元件布局靈活性,并消除了外部負(fù)載電容,從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術(shù),這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術(shù),該技術(shù)可在1.2mmx1.2mm的封裝內(nèi)實現(xiàn)首個32kHz±3百萬分之一(ppm)超級TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨特的MEMSFirst™工藝.關(guān)鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過+1000°C.EpiSeal創(chuàng)造了一個極其牢固,干凈的真空室來封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性
MEMS振蕩器提供低功耗,小尺寸,高性能和物理穩(wěn)健性的有吸引力的組合,使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇,特別是在便攜式和可穿戴電子產(chǎn)品中. 他們利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造和封裝方法的能力意味著他們的成本和性能將繼續(xù)提高,確保他們將繼續(xù)進(jìn)入傳統(tǒng)上保留用于石英晶振和陶瓷諧振器的應(yīng)用.該電子振蕩器產(chǎn)生具有精確頻率的輸出以產(chǎn)生定時脈沖并同步事件.基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的振蕩器將精確的頻率生成與低功耗相結(jié)合,并且在時鐘電路中變得越來越流行.本文深圳康比電子將介紹MEMS技術(shù),MEMS振蕩器以及為什么它們在便攜式和非便攜式應(yīng)用中取代更傳統(tǒng)的解決方案.
許多應(yīng)用要求晶體在振動環(huán)境中起作用.振動環(huán)境可能是晶振被放置在振動設(shè)備或機(jī)器附近或在各種道路條件下被驅(qū)動的車輛中的結(jié)果.車載,飛機(jī)和太空發(fā)射環(huán)境是石英晶體諧振器最嚴(yán)重的振動環(huán)境之一,振動有可能破壞或完全破壞石英晶圓,損壞晶圓導(dǎo)線/安裝界面并引起振動異常,如不需要的一面頻帶和相位噪聲性能的下降.
英特爾還透露了全新專門面向5G無線接入和邊緣計算的,基于10納米制程工藝的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片（研發(fā)代號：“SnowRidge”）,持續(xù)加強(qiáng)對于網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的長期投資.據(jù)悉,這款網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片計劃將英特爾架構(gòu)引入無線接入基站,并允許更多計算功能在網(wǎng)絡(luò)邊緣進(jìn)行分發(fā),LVDS輸出晶振發(fā)揮了十分重要的作用.
PETERMANN晶振致力于為每種產(chǎn)品和服務(wù)提供質(zhì)量高,安全性,靈活性和客戶滿意度.作為動態(tài)市場環(huán)境中的創(chuàng)新型企業(yè),我們致力于成為客戶可靠的戰(zhàn)略合作伙伴.憑借我們廣泛的貼片晶振產(chǎn)品和服務(wù),無與倫比的質(zhì)量和卓越的性價比,我們支持他們生產(chǎn)具有競爭力和高效率的應(yīng)用.20多年來,我們一直作為頻率控制元件的合作伙伴為我們的客戶提供建議和支持.基于我們數(shù)十年的經(jīng)驗和廣泛的技術(shù)支持,我們可以在您公司發(fā)展的初期為您提供最佳,快速和非常目標(biāo)的支持.最大的客戶滿意度是我們所有業(yè)務(wù)活動和行動的重點.
自推出以來32.768K微型手表水晶已經(jīng)成為有史以來受歡迎的計時基準(zhǔn).該篇文章主要講的內(nèi)容是為石英晶振在計時應(yīng)用中的使用提供一些指導(dǎo).出于方便和成本的考慮,在幾乎所有情況下,設(shè)計者都希望在此應(yīng)用中使用簡單的邏輯門振蕩器.通常應(yīng)用于這類設(shè)計的標(biāo)準(zhǔn)是,它應(yīng)該準(zhǔn)確,低成本和低功耗.使用手表晶體和CMOS邏輯可以滿足所有這些標(biāo)準(zhǔn).
對于音頻而言,沒有什么比確保信號純度更重要.擾動,相位噪聲/抖動和較差的鎖定能力都會中斷音頻模塊之間的平滑信號流.推薦用于音頻的Golledge系列產(chǎn)品通過僅使用質(zhì)量高的晶振和安裝技術(shù)來避免虛假共振.這有助于降低影響調(diào)諧曲線或控制回路的不必要擾動的可能性.我們還提供具有寬可拉性的VCXO晶振,確保音頻模塊之間的鎖定變得容易.我們所有的音頻推薦晶振產(chǎn)品都具有極低的抖動規(guī)格,這意味著您不必再擔(dān)心將噪聲引入DAC的輸出.我們還為那些希望獲得優(yōu)秀清晰音頻再現(xiàn)的用戶提供超低相位噪聲OCXO.我們專業(yè)的內(nèi)部工程部門可以幫助您滿足您的任何定制要求,測試和規(guī)格,
ABM3-33.000MHZ-B4Y-T美國5032貼片晶振ABM3B-16.000MHZ-B-4-Y-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-19.680MHZ-10-1-U-T歐美晶振 ABM3-40.000MHZ-B4Y-T貼片石英晶振ABM3B-16.384MHZ-B-4-Y-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3C-20.000MHZ-D4Y-T美國5032貼片晶振 ABM3C-48.000MHZ-D4Y-T石英晶體諧振器ABM3B-18.432MHZ-B-4-Y-T小型5032進(jìn)口晶振ABM3B-24.576MHZ-20-E-T貼片石英晶振 ABM3C-16.000MHZ-D4Y-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-19.200MHZ-B-4-Y-T無源晶振ABM3-11.0592MHZ-D2Y-T石英晶體諧振器 ABM3C-26.000MHZ-D4Y-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-20.000MHZ-B-4-Y-T壓電石英晶振ABM3C-12.288MHZ-D4Y-T美國進(jìn)口晶振 ABM3C-13.560MHZ-D4Y-T小型5032晶振ABM3B-24.000MHZ-B-4-Y-T歐美晶振ABM3B-26.000MHZ-10-B-1-U-T壓電石英晶振 ABM3C-18.432MHZ-D4Y-T無源晶振ABM3B-25.000MHZ-B-4-Y-T美國5032貼片晶振ABM3B-27.000MHZ-10-B-1-U-T歐美晶振 ABM3C-15.000MHZ-D4Y-T壓電石英晶振ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T輕薄型貼片諧振器ABM3B-27.120MHZ-10-B-1-U-T美國5032貼片晶振 ABM3C-16.384MHZ-D4Y-T歐美晶振ABM3B-27.000MHZ-B-4-Y-T石英晶體諧振器ABM3B-28.63636MHZ-10-B-1-U-T貼片石英晶振 ABM3C-30.000MHZ-D4Y-T美國5032貼片晶振ABM3B-27.120MHZ-B-4-Y-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-30.000MHZ-10-B-1-U-T石英晶體諧振器 ABM3-27.000MHZ-B2-T貼片石英晶振ABM3B-28.63636MHZ-B-4-Y-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-32.000MHZ-10-B-1-U-T美國進(jìn)口晶振 ABM3B-30.000MHZ-B2-T石英晶體諧振器ABM3B-30.000MHZ-B-4-Y-T小型5032晶振ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T進(jìn)口Abracon晶振 ABM3-48.000MHZ-B2-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-36.000MHZ-B-4-Y-T無源晶振ABM3B-40.000MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振 ABM3B-14.31818MHZ-B2-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-40.000MHZ-B-4-Y-T壓電石英晶振ABM3B-13.500MHZ-10-1-U-T無源晶振 ABM3B-13.000MHZ-B2-T小型5032晶振ABM3B-48.000MHZ-B-4-Y-T歐美晶振ABM3B-14.400MHZ-10-1-U-T壓電石英晶振 ABM3-28.6363MHZ-B2-T無源晶振ABM3B-8.000MHZ-B-4-Y-T美國5032貼片晶振ABM3B-16.800MHZ-10-1-U-T歐美晶振 ABM3B-16.384MHZ-B2-T壓電石英晶振ABM3B-27.120MHZ-10-B2H-T貼片石英晶振ABM3B-22.000MHZ-10-1-U-T美國5032貼片晶振 ABM3B-24.000MHZ-B2-T歐美晶振ABM3B-12.000MHZ-10-B-1-U-T石英晶體諧振器ABM3B-13.824MHZ-10-1-U-T貼片石英晶振
ABM3B-24.576MHZ-B2-T美國5032貼片晶振ABM3B-12.288MHZ-10-B-1-U-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-14.31818MHZ-10-1-U-T石英晶體諧振器 ABM3B-27.000MHZ-B2-T貼片石英晶振ABM3B-13.000MHZ-10-B-1-U-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-27.000MHZ-10-1-U-T美國進(jìn)口晶振 ABM3B-18.432MHZ-10-1-U-T石英晶體諧振器ABM3B-13.560MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振ABM3X-101-24.000MHZ-T進(jìn)口Abracon晶振 ABM3B-12.000MHZ-10-1-U-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-14.31818MHZ-10-B-1-U-T無源晶振ABM3X-102-32.000MHZ-T小型5032晶振 ABM3B-25.000MHZ-10-1-U-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-16.000MHZ-10-B-1-U-T壓電石英晶振ABM3C-8.000MHZ-D4Y-T無源晶振 ABM3-30.000MHZ-D2Y-T小型5032晶振ABM3B-16.384MHZ-10-B-1-U-T歐美晶振ABM3C-8.192MHZ-D4Y-T壓電石英晶振 ABM3B-26.000MHZ-10-1-U-T無源晶振ABM3B-16.934MHZ-10-B-1-U-T美國5032貼片晶振ABM3C-9.8304MHZ-D4Y-T歐美晶振 ABM3-12.288MHZ-D2Y-T壓電石英晶振ABM3B-18.432MHZ-10-B-1-U-T貼片石英晶振ABM3C-16.000MHZ-KV-T美國5032貼片晶振 ABM3B-13.560MHZ-10-1-U-T歐美晶振ABM3B-19.200MHZ-10-B-1-U-T石英晶體諧振器ABM3-19.6608MHZ-B4Y-T貼片石英晶振 ABM3B-14.7456MHZ-10-1-U-T美國5032貼片晶振ABM3B-20.000MHZ-10-B-1-U-T美國進(jìn)口晶振ABM3-30.000MHZ-B4Y-T石英晶體諧振器 ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T貼片石英晶振ABM3B-24.000MHZ-10-B-1-U-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3-12.000MHZ-B4Y-T美國進(jìn)口晶振 ABM3-33.000MHZ-D2Y-T石英晶體諧振器ABM3B-24.576MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振ABM3-9.8304MHZ-B4Y-T進(jìn)口Abracon晶振 ABM3B-11.0592MHZ-10-1-U-T美國進(jìn)口晶振ABM3B-25.000MHZ-10-B-1-U-T進(jìn)口石英無源晶振ABM3-10.000MHZ-B4Y-T小型5032晶振 ABM3-14.31818MHZ-D2Y-T進(jìn)口Abracon晶振ABM3B-8.000MHZ-10-D-1-G-T壓電石英晶振ABM3-11.0592MHZ-B4Y-T無源晶振 ABM3-14.7456MHZ-D2Y-T小型5032晶振ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T歐美晶振ABM3-15.000MHZ-B4Y-T壓電石英晶振 ABM3-24.576MHZ-D2Y-T無源晶振ABM3-12.288MHZ-B4Y-T美國5032貼片晶振ABM3-16.000MHZ-B4Y-T歐美晶振
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