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NDK振蕩器室溫下的頻率差異

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-08-30 09:28:41【大中小】

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日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振公司成立于1948年,是"世界第二大"石英晶振元器件生產(chǎn)企業(yè),是行業(yè)中的翹楚,從成立到至今,已經(jīng)給市場(chǎng)以及各種電子產(chǎn)品行業(yè)提供了不計(jì)其數(shù)的晶振元器件,NDK所生產(chǎn)的產(chǎn)品均具備耐高溫,耐惡劣環(huán)境等特點(diǎn),也是各大汽車(chē)廠商指定的供應(yīng)商之一.下面康比電子整理有有關(guān)NDK振蕩器的頻率差異.

振蕩頻率的差異概述

這一次,我將概述振蕩頻率的差異.基于安裝在用于電路研究的電路板上的晶振單元的振蕩頻率(具有指定的負(fù)載電容CL),找到安裝在目標(biāo)板上時(shí)與振蕩頻率的偏差.偏差量稱(chēng)為"振蕩頻率差".

1.室溫下的頻率差異

首先,我們將在此解釋常溫條件下振蕩頻率的差異.振蕩頻率的差異由等式dF/F表示.振蕩頻率的差異的細(xì)節(jié)如下.(有關(guān)每個(gè)符號(hào)的內(nèi)容,請(qǐng)參見(jiàn)下文.)

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

dF:電路上的石英晶體振蕩器振蕩頻率與參考頻率

F之間的差值:參考頻率

a:指定負(fù)載電容下的晶體振蕩器振蕩頻率CL

b:電路上的晶體振蕩器振蕩頻率

應(yīng)注意,標(biāo)準(zhǔn)F(等式(1)中的a的數(shù)字)不是標(biāo)稱(chēng)頻率.

以下是振蕩頻率的差異如何根據(jù)參考F是a還是標(biāo)稱(chēng)頻率而不同的示例.

晶體振蕩器標(biāo)稱(chēng)頻率:25.000000MHz

a:25.000100MHz

b:25.000075MHz在上述情況下,振蕩頻率的差異如下.

(A):當(dāng)參考F為a時(shí):(B):當(dāng)參考F為標(biāo)稱(chēng)頻率時(shí):NDK振蕩器在電路研究中使用的振蕩頻率的差值為(A).

2.考慮頻率容差時(shí)

考慮到晶體單元的乘積之間的頻率變化,即室溫下的頻率容差,為了知道振蕩頻率的準(zhǔn)確性,使用通過(guò)方法①獲得的值.添加單項(xiàng)的頻率容差.在考慮產(chǎn)品之間的頻率變化的條件下振蕩頻率的精度由等式(2)表示.

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

(例1)

•振蕩頻率差:+10ppm

•單晶單元的頻率容差:±30ppm以?xún)?nèi)•②代入+10ppm±30ppm=-20ppm~+40ppm

3.在考慮頻率容差和頻率溫度特性時(shí)為了在考慮NDK振蕩器產(chǎn)品之間的頻率變化的同時(shí)知道溫度變化時(shí)振蕩頻率的準(zhǔn)確性,僅將石英晶振單元的頻率溫度特性加到通過(guò)方法②獲得的值.你.考慮到產(chǎn)品之間的頻率變化,在溫度改變的條件下振蕩頻率的精度由等式(3)表示.

(例2)

•振蕩頻率差:10ppm

•單晶單元的頻率容差:±40ppm以?xún)?nèi)•單晶單元的頻率溫度特性:±50ppm以?xún)?nèi)(保證工作溫度范圍內(nèi))

•代入③然后,-10ppm±40ppm±50ppm=-100ppm至+80ppm

晶體元器件主要應(yīng)用于鐘表和通信設(shè)備等領(lǐng)域,但隨著微型計(jì)算機(jī)的應(yīng)用,它們已經(jīng)被廣泛地用于包括數(shù)碼家電,汽車(chē),移動(dòng)電話和智能手機(jī)等各個(gè)領(lǐng)域.之后,隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的成熟化,全球晶體市場(chǎng)規(guī)模已趨于飽和,因此,持續(xù)在惡劣的環(huán)境中艱難前行.另一方面,在汽車(chē)行業(yè),由于ADAS等電氣化率上升,汽車(chē)行業(yè)對(duì)車(chē)載晶振元器件的需求逐年增加,目前我們公司汽車(chē)行業(yè)的銷(xiāo)售額占總量的近50％. 預(yù)計(jì),未來(lái)汽車(chē)用晶體的需求將穩(wěn)步增長(zhǎng),成為我們事業(yè)的支柱.

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