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顯卡晶振,DIODES百利通亞陶晶振,SQ振蕩器,HCSL輸出差分晶振,SQA000001

頻率:100MHz

尺寸:5.00mm x 3.20mm

顯卡晶振,DIODES百利通亞陶晶振,SQ振蕩器,HCSL輸出差分晶振,SQA000001   SQA000001作為DIODES百利通亞陶的顯卡晶振,在顯卡的運(yùn)行中扮演著至關(guān)重要的角色。其獨(dú)特的HCSL輸出特性,能夠提供差分信號(hào),這種信號(hào)傳輸方式具有出色的抗干擾能力,可有效減少電磁干擾對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的影響,保證信號(hào)在顯卡內(nèi)部高速傳輸過(guò)程中的完整性和準(zhǔn)確性。
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顯卡晶振,DIODES百利通亞陶晶振,SQ振蕩器,HCSL輸出差分晶振,SQA000001

SQA000001作為DIODES百利通亞陶的顯卡晶振,在顯卡的運(yùn)行中扮演著至關(guān)重要的角色。HCSL輸出振蕩器其獨(dú)特的HCSL輸出特性,能夠提供差分信號(hào),這種信號(hào)傳輸方式具有出色的抗干擾能力,可有效減少電磁干擾對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的影響,保證信號(hào)在顯卡內(nèi)部高速傳輸過(guò)程中的完整性和準(zhǔn)確性。
          該臺(tái)產(chǎn)晶振采用先進(jìn)的制造工藝和高品質(zhì)材料,確保在顯卡工作時(shí)可能面臨的較寬溫度范圍內(nèi)(如 - 20℃至 + 70℃),能將頻率偏差嚴(yán)格控制在極小范圍,展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。這對(duì)于顯卡在處理高分辨率圖像、進(jìn)行復(fù)雜3D渲染等任務(wù)時(shí)至關(guān)重要,因?yàn)槿魏晤l率的不穩(wěn)定都可能導(dǎo)致圖像出現(xiàn)卡頓、花屏等問(wèn)題。
          作為SQ石英晶體振蕩器系列的一員,SQA000001的設(shè)計(jì)緊湊,便于在顯卡的電路板上進(jìn)行安裝,適應(yīng)顯卡內(nèi)部高密度的電路布局。其封裝不僅節(jié)省空間,還具備良好的散熱性能和電氣性能,有助于提升晶振在顯卡復(fù)雜工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
          在顯卡中,GPU需要精確的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)協(xié)調(diào)數(shù)據(jù)的處理和傳輸。SQA000001為GPU提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn),使得GPU能夠以最佳狀態(tài)運(yùn)行,確保圖形數(shù)據(jù)的快速處理和流暢輸出。無(wú)論是在游戲場(chǎng)景中呈現(xiàn)逼真的畫(huà)面,還是在專(zhuān)業(yè)圖形設(shè)計(jì)工作中處理高精度圖像,該晶振都能保證顯卡的穩(wěn)定性能,為用戶(hù)帶來(lái)高質(zhì)量的視覺(jué)體驗(yàn)。
          DIODES百利通亞陶晶振對(duì)SQA000001的品質(zhì)把控貫穿整個(gè)生產(chǎn)流程。從原材料的嚴(yán)格篩選,到生產(chǎn)過(guò)程中的精細(xì)制造和檢測(cè),每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)高低溫循環(huán)、濕度、振動(dòng)及沖擊等一系列嚴(yán)苛測(cè)試,確保晶振在各種復(fù)雜環(huán)境下都能穩(wěn)定工作,為顯卡的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠保障。憑借其卓越的性能、可靠的品質(zhì)以及對(duì)顯卡應(yīng)用的高度適配性,SQA000001成為顯卡制造商在選擇晶振時(shí)的理想選擇之一。

顯卡晶振,DIODES百利通亞陶晶振,SQ振蕩器,HCSL輸出差分晶振,SQA000001

Parameter Min. Typ. Max.  Units       Notes
Output Frequency 80  120  MHz
Supply Voltage 2.97  3.30  3.63  V
Supply Current, Output Enabled 40  mA
Supply Current, Output Disabled 15  mA
Frequency Stability ±50 ppm See Note 1 below
Operating Temperature Range -40  +85  °C Industrial
Output Logic 0, VOL -0.15  V
Output Logic 1, VOH 0.66  0.7  0.9  V
Output Load Rs = 33Ω, Rp = 50Ω, CL = 2pF output requires termination
Duty Cycle 45  55  % Measured 50% of waveform
Rise and Fall Time 0.7  ns
Maximum measured from
VOL = 0.175V to VOH = 0.525V
Jitter, Phase RMS (1-σ) 1.8  2.5  ps
As defined by PCI-SIG for PCIe® 2.0

reference clock

Jitter, pk–pk 27  40  ps 100,000 random periods

SQ

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SQ 5032 HCSL 3.3V

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所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作

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PE7720JEW - 155.52MDK作為普銳特旗下的一款PECL差分輸出有源晶振,專(zhuān)為滿(mǎn)足存儲(chǔ)設(shè)備及高速電路對(duì)高精度時(shí)鐘的需求而打造。155.52MHz的標(biāo)稱(chēng)頻率,為數(shù)據(jù)的快速存儲(chǔ)與讀取提供了穩(wěn)定且精確的時(shí)間基準(zhǔn)。該晶振采用先進(jìn)制造工藝與高品質(zhì)材料,確保在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi),頻率穩(wěn)定性極佳,頻率偏差能被嚴(yán)格控制在極小范圍,有效應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備在不同環(huán)境下的工作要求。
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