頻率:8~150MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振,2013年,ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的全球頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高,因此2013年需要開設(shè)兩個新的區(qū)域銷售辦事處,負(fù)責(zé)處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除進口晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。
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ILSI晶振規(guī)格 |
單位 |
ILCX03晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~150MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存5032晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振
所有產(chǎn)品的共同點1:抗沖擊:抗沖擊是指進口無源晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致無源石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.制定了我們認(rèn)為適合我們組織的陶瓷面封裝晶振質(zhì)量方針,并且符合ISO 9001:2008中規(guī)定的要求。該政策在整個公司內(nèi)傳達(dá)。部門經(jīng)理和主管負(fù)責(zé)確保所有員工了解政策。為確保我們的政策適宜,我們至少每年在其管理評審會議上對其進行審查。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.的高層管理人員通過制定和實施本質(zhì)量手冊表明了其對SMD兩腳5032封裝晶振質(zhì)量管理體系的承諾。此外,通過ILSI美國有限責(zé)任公司/ ILSI-MMD Inc.質(zhì)量方針,在管理評審會議期間制定和審查的具體目標(biāo),以及提供所需資源以實現(xiàn)我們不斷提高我們運營效率的目標(biāo)和質(zhì)量體系。
由總裁和所有部門經(jīng)理組成的管理團隊專注于確保我們的5032石英晶振產(chǎn)品和服務(wù)符合客戶以及法定和監(jiān)管要求。我們致力于不斷提高質(zhì)量管理體系的有效性和我們對客戶滿意度的承諾,通過監(jiān)控我們的業(yè)績與我們既定的目標(biāo)以及通過促進員工參與的領(lǐng)導(dǎo)力來實現(xiàn)。這個概念代表了ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.對質(zhì)量的承諾,以及越來越需要更好地服務(wù)于不斷增長和要求苛刻的客戶群。



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